FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：51nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5300pF @ 15V

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO251-3

封装/外壳：PG-TO251-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：90A

Rds On-漏源导通电阻：4.4mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：94W

通道模式：Enhancement

高度：6.22mm

长度：6.73mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：2.38mm

正向跨导 - 最小值：100S

下降时间：5ns

上升时间：6ns

典型关闭延迟时间：34ns

典型接通延迟时间：9ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs